上海芯亮电子科技有限公司 main business:从事电子科技、计算机软硬件、半导体元器件科技领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，半导体元器件及相关产品、数码设备、电子产品、计算机软件及辅助设备（除计算机信息系统安全专用产品）的销售，从事货物及技术的进出口业务。【&#yfpz】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 310104000569727
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司
- 2014年3月20日
- 周雯
- 1000万人民币
- 至 永久
- 徐汇区市场监督管理局
- 2014年3月20日
- 上海市徐汇区虹漕路461号56幢8层E室
- 从事电子科技、计算机软硬件、半导体元器件科技领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，半导体元器件及相关产品、数码设备、电子产品、计算机软件及辅助设备（除计算机信息系统安全专用产品）的销售，从事货物及技术的进出口业务。【&#yfpz】
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104716045A | 改善SiC热氧化后的界面态的制造方法 | 2015.06.17 | 本发明提供了一种改善SiC热氧化后的界面态的制造方法，包括以下步骤：步骤一，定义硅晶圆底材MOSFE |
| 2 | CN104538308A | 降低功率晶体管导通电阻的方法 | 2015.04.22 | 本发明提供了一种降低功率晶体管导通电阻的方法，其包括以下步骤：步骤一，多晶硅沉积，以作为闸极控制导电 |
| 3 | CN204257661U | 功率MOSFET | 2015.04.08 | 本实用新型提供了一种功率MOSFET，包括衬底、多重终止环、浮接多晶硅环、芯片边界、高温热氧化层，多 |
| 4 | CN204257623U | 功率元件 | 2015.04.08 | 本实用新型提供了一种功率元件，包括氧化层、多晶硅栅层、绝缘层、金属层、第一护层、第二护层、P型阱、N |
| 5 | CN104465442A | 半导体制程中铝硅接面的实时监测方法 | 2015.03.25 | 本发明提供了一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，包括以下步骤：步骤一，在衬底上依次形成绝缘层、氧 |
| 6 | CN104465324A | 分离式元件的制造方法 | 2015.03.25 | 本发明提供了一种分离式元件的制造方法，包括以下步骤：步骤一，普通研磨方式对晶圆减薄，将晶圆研磨掉第一 |
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